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SigOFIT 光隔离探头

简要描述:

SigOFIT 光隔离探头 基于独家SigOFIT™ 技术的光隔离探头,拥有极高的共模抑制比和隔离电压,在其带宽范围内洞见信号的全部真相,是判定其他 电压探头所测信号真实性的...

详细介绍
SigOFIT 光隔离探头

基于独家SigOFIT™ 技术的光隔离探头,拥有极高的共模抑制比和隔离电压,在其带宽范围内洞见信号的全部真相,是判定其他 电压探头所测信号真实性的终极裁判。此外,SigOFIT光隔离探头采用先进的激光供电技术,完美解决了隔离供电的问题。
带宽:DC-1GHz ;共模电压:85kVpk;直流增益精度:1% ;共模抑制比:高达180dB


最真实的信号呈现

SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比,在100MHz时CMRR高达128dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB,是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。



极高的测试精度与稳定性

作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判,测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头,具有极佳的幅频特性,直流增益精度优于1%,底噪小于0.45mVrms,预热5min后零点漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。 



 第三代半导体的最佳测试手段

第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT光隔离探头在最高带宽时,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的不二之选。


测试氮化镓(GaN)不炸管

SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输,探头输入电容小于2.5pF,测试氮化镓(GaN)十分安全。

 
 
 使用灵活
 
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小,探头引线更精巧,使用更加灵活方便。


测试量程更宽

不同于高压差分探头只可以测试高压信号,SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器,可以测试±0.1V至±5000V的差模信号,并实现满量程输出,达到很高的信噪比。


高效便捷

SigOFIT光隔离探头响应快,上电即测,校准时间小于1秒,可实时保证精确的信号输出。


应用场景

对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时,SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
 
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
 
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
 
氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
 
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
 
逆变器、UPS及开关电源的测试
 
宽电压、宽带测试应用
 
各种浮地测试等等

 


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